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公司電話:0431-86176682
 公司郵箱:
[email protected]

GSENSE400BSI

產品描述

分辨率

4.2MP

像素尺寸

11μm x 11μm

感光面積

22.5mm x 22.5mm

快門方式

卷簾快門

色彩

黑白

 

零售價 :
0.00
市場價 :
0.00
重量:
0.00
庫存 :
360°全景展示
產品詳情
分辨率:
4.2 MP
像素尺寸:
11 μm
分辨率:
<5MP
像素尺寸:
>10μm
快門方式:
卷簾快門
類型:
BSI
色彩:
黑白
最大幀頻:
<50fps
最大幀頻:
48 fps
產品特性
 GSENSE400BSI是基于GSENSE400而設計開發的背照式器件,是世界上第一款背照式、科學級CMOS圖像傳感器。GSENSE400BSI具有極高的靈敏度、超低的讀出噪聲以及高動態范圍等特點。GSENSE400BSI具有三種抗反射鍍膜,分別針對275nm、420nm和560nm譜段的靈敏度進行優化,其量子效率分別為77%(275nm)、86%(420nm)和95%(560nm)。同時該芯片在制冷條件下具有極低的暗電流,在-50℃時,暗電流為0.2e-/s/pix。因此,GSENSE400BSI非常適合熒光成像、天文成像、光譜應用、法醫鑒定、高壓電線電暈檢測等各類科學應用。
                        
實測參數

分辨率

2048(H) x 2048(V)

像素尺寸

11μm x 11μm

快門方式

卷簾快門

暗電流

<0.2e-/p/s

滿阱容量

91ke-

最大信噪比

49dB

讀出噪聲

1.6e-

動態范圍

[email protected]

量子效率

95%@560nm;60%@800nm

最大幀頻

48fps

FPN

<2e-

PRNU

<1.5%

供電電源

3.3V/1.8V

ADC

12bit

功耗

<650mW

封裝

115-pin PGA

 

芯片版本

芯片版本

描述

GSENSE400BSI-TVISB

針對560nm進行優化,無微透鏡,雙面無抗反射鍍膜D263T玻璃,玻璃蓋片可拆

GSENSE400BSI-UV-QF

針對275nm進行優化,無微透鏡,雙面無抗反射鍍膜石英玻璃,玻璃蓋片不可拆

GSENSE400BSI-UV

針對275nm進行優化,無微透鏡,雙面無抗反射鍍膜D263T玻璃,玻璃蓋片可拆

GSENSE400BSI-VIS

針對420nm進行優化,無微透鏡,雙面無抗反射鍍膜石英玻璃,玻璃蓋片可拆

 

文檔下載
Click HERE for compatible sockets from Andon Electronics
產品特性
 GSENSE400BSI是基于GSENSE400而設計開發的背照式器件,是世界上第一款背照式、科學級CMOS圖像傳感器。GSENSE400BSI具有極高的靈敏度、超低的讀出噪聲以及高動態范圍等特點。GSENSE400BSI具有三種抗反射鍍膜,分別針對275nm、420nm和560nm譜段的靈敏度進行優化,其量子效率分別為77%(275nm)、86%(420nm)和95%(560nm)。同時該芯片在制冷條件下具有極低的暗電流,在-50℃時,暗電流為0.2e-/s/pix。因此,GSENSE400BSI非常適合熒光成像、天文成像、光譜應用、法醫鑒定、高壓電線電暈檢測等各類科學應用。
                        
實測參數

分辨率

2048(H) x 2048(V)

像素尺寸

11μm x 11μm

快門方式

卷簾快門

暗電流

<0.2e-/p/s

滿阱容量

91ke-

最大信噪比

49dB

讀出噪聲

1.6e-

動態范圍

[email protected]

量子效率

95%@560nm;60%@800nm

最大幀頻

48fps

FPN

<2e-

PRNU

<1.5%

供電電源

3.3V/1.8V

ADC

12bit

功耗

<650mW

封裝

115-pin PGA

 

芯片版本

芯片版本

描述

GSENSE400BSI-TVISB

針對560nm進行優化,無微透鏡,雙面無抗反射鍍膜D263T玻璃,玻璃蓋片可拆

GSENSE400BSI-UV-QF

針對275nm進行優化,無微透鏡,雙面無抗反射鍍膜石英玻璃,玻璃蓋片不可拆

GSENSE400BSI-UV

針對275nm進行優化,無微透鏡,雙面無抗反射鍍膜D263T玻璃,玻璃蓋片可拆

GSENSE400BSI-VIS

針對420nm進行優化,無微透鏡,雙面無抗反射鍍膜石英玻璃,玻璃蓋片可拆

 

文檔下載
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